chemical vapor deposition的意思|示意
化学气相沉积；化学汽相淀积
chemical vapor deposition的用法详解
Chemical vapor deposition（CVD）是一种被广泛应用的用来生产涂层、薄层和厚层的物理涂层技术。它可以将一种或多种化学物质（称为沉积剂）在表面上变为固态，从而形成沉积层。
CVD技术可以用来在立体表面上涂覆各种各样的涂层，从而改善材料的性能。这种技术可以用来制备多种多样的高分子材料，如陶瓷、金属、石墨烯等。此外，CVD可以用于生产电子专用元件、光学器件和其他器件。
CVD技术包括三个主要步骤，即气体温度控制、气体流动和气体混合。首先，气体温度控制技术可以控制CVD反应所需的气体温度范围。其次，控制气体流动可以控制CVD反应所需的化学反应速率。最后，控制气体混合可以控制CVD过程的化学活性。
CVD技术的优点在于能够生产高质量的涂层，而且设备成本不高，占地面积小。由于CVD技术使用温度控制和气体流动的技术，因此能够生产出高质量的涂层。但是，CVD技术也存在缺点，比如操作复杂，供货不足、使用成本高以及容易受污染等。
总之，CVD技术能够生产出高质量的涂层，广泛应用于工业生产领域。但是，它也存在一些缺点，比如操作复杂、供货不足、使用成本高以及容易受污染等。
chemical vapor deposition相关短语
1、 vacuum chemical vapor deposition 真空化学汽相淀积
2、 chemical vapor deposition film 化学汽相淀积膜
3、 chemical vapor deposition reactor 化学汽相淀积反应器
4、 modified chemical vapor deposition 改进的化学汽相淀积,学气相沉积法,改进的化学汽相沉积法,相沉积法
5、 high temperature chemical vapor deposition 高温化学汽相淀积
6、 atmospheric pressure chemical vapor deposition 常压化学汽相淀积,常压化学气相沉积法
7、 low pressure chemical vapor deposition 低压化学汽相淀积,低压化学气相沉积,低压化学气,低压化学气相沉积系统
8、 Metal-organic Chemical Vapor Deposition 有机金属化学气相沉积,相沉积,金属化学气相沉积,化学气相沉积
9、 reduced pressure chemical vapor deposition 减压化学汽相淀积
chemical vapor deposition相关例句
Metal Organic Chemical Vapor Deposition ( MOCVD ) is a key technology in growing thin - films.
金属有机化学气相沉积 ( OCVD ) 一门制备薄膜材料的关键技术.
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A chemical vapor deposition process that takes place at moderate temperatures.
一种化学汽相淀积过程,发生在适度的温度下.
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The globe - like diamond microcrystalline aggregates were fabricated by microwave plasma chemical vapor deposition ( MPCVD ) method.
在覆盖金属钛层的陶瓷上,利用微波等离子体化学气相沉积 ( MPCVD ) 法制备出类球状微米金刚石聚晶薄膜.
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Composite film was prepared by on line chemical vapor deposition on float glass.
用化学气相沉积法在浮法玻璃上制备了复合薄膜.
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Ultrathin organosilicon films were synthesized by chemical vapor deposition.
用化学气相沉积方法制备了超薄有机硅膜.
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Carbon nanotube films were synthesized on Ni substrate by microwave plasma chemical vapor deposition at temperature.
以镍片为基板材料,利用微波等离子体化学气相沉积法在低温条件下合成了纳米碳管膜.
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