Phase Change Memory的意思|示意
相变存储器
Phase Change Memory的网络常见释义
相变存储器 ...的制作工艺接近极限,可扩展性越来越差,它已经无法满足当前市场对于高性能、大容量的存储器需求。相变存储器(Phase Change Memory,PCM)是一种新型存储器,它具有非易失性、高集成度、低静态能耗、字节寻址等优点,因而备受关注。
相变内存 相变内存(Phase Change Memory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS...
相变化内存 从技术来看，相变化内存（Phase Change Memory）是拥有高读写速度、高集积度、高耐久性、低耗电及抗辐射等多项优点之非挥发内存，采用相变化薄膜作为相变化内存之核心，具有与传...
相变化存储器 度较DRAM快逾千倍 在全球持续突破存储器运行速度的努力进程中，全球各研究人员均对于“相变化存储器”(Phase Change Memory;PCM)领域的研究感兴趣，并投入大量时间从事研发，最新则是美国史丹佛大学(Stanford University)的研究做出了新突破，据称可让PCM...
Phase Change Memory相关短语
1、 chalcogenide phase-change memory 硫化物相变存储器
2、 phase change memory and switch 相变储存器与开关
3、 phase-change random access memory 相变随机存储器 ; 相变随机存储记忆体 ; 存储器
Phase Change Memory相关例句
Diode is considered to be the best driver of high-density phase change Random Access Memory (PCRAM) for its advantage of the cell area.
由于二极管在单元尺寸上的优势，被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。
Disclosed herein are a method of forming a stable phase change layer without generating seams, and a method of manufacturing phase change memory device using the same.
本文公开了一种形成不产生接缝的稳定的相转变层的方法以及制造使用所述相转变层的相转变存储器件的方法。
The new material offers an approach that is radically different from a promising type of storage called "phase-change memory" being pursued by I.B.M., Intel and other companies.
这种新材料提供的方法完全不同于i.b.m .英特尔和其他公司在设计的被称为“相变存储器”的新型存储。
A phase change memory formed by a plurality of phase change memory devices having a chalcogenide memory region (28) extending over an own heater (26).
一种由多个具有在自身的加热体(26)上方延伸的硫属化物存储区(28)的相变存储器件形成的相变存储器。
The invention relates to a phase change memory.
本发明有关于一种相变化存储器。
Related one-time programmable devices, phase change memory devices and electronic systems are also disclosed.
还公 开了相关的一次可编程器件、相变存储器件和电子系统。